سال انتشار: ۱۳۹۰

محل انتشار: سومین کنفرانس مهندسی برق و الکترونیک ایران

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

مجید قدردان – دانشگاه سیستان و بلوچستا ن
طاهره فنایی شیخ الاسلامی – دانشگاه سیستان و بلوچستان

چکیده:

دراین مقاله آشکارساز نور UV براساس دیودی با ساختار NIP درنظر گرفته شده است ساختار مورد نظر بصورت Ag/NIP/Al می باشد و لایه های P,I,N به این صورت تعریف شده اند که در لایه ی N از a-si:H و در لایه ی I از a-siC:H و در لایه ی P از a-siC:H استفاده شده است آزمایش را بدون حضور نور انجام داده و نمودارهای میدان الکتریکی و مشخصه I-V را بدست آورده و سپس نور تابانده و اثر نور روی آنها بررسی شده است شبیه سازی برای باندگپهای مختلف انجام شده و منحنی I-V در حالت بایاس معکوس و بایاس مستقیم بررسی گردید. نتایج آنالیز نشان داد که ساختاری که در لایه ی I از a-siC:H با باند گپ Eg=2.7eV ودر لایه P از a-siC:Hبا باند گپEg=1.95eV و د رلایه ی N از a-si:H با باند گپ Eg=1.74eV استفاده شده بهترین نتیجه را از لحاظ حساسیت عنصر به نور UV دارد.