سال انتشار: ۱۳۹۱

محل انتشار: اولین کنفرانس ملی نانوالکترونیک ایران

تعداد صفحات: ۷

نویسنده(ها):

رحیم فائز – دانشکده مهندسی برق ، دانشگاه صنعتی شریف
محی الدین سرایلو – جهاد دانشگاهی خواجه نصیر

چکیده:

از خانواده A 1.1 ( InAs ، GaSb ، AlSb ، ( ساختارهای ناه گون شان ترانزیستواهان بسیاان براسی شده اند که هرکدام خواص بسیااخوبی از خود نشان داده اند ولی دا مواد ترانزیستورGaSb/AlSb مطالعات بسیار کم ی انجام گرفته است. ما در این مقاله یک ترانزیستواGaSb/AlSb اا شبیه سازن کرده و آن اا با حالت دو کاناله از لحاظ بازدهیسرعت و مشخصاتRF و DC مقایسه ن ودیم. شبیه سازن با اساتفاده از معااد ت موازنه انرژی و با دا نظر گرفتن اثرات کوانتومی انجام شده است.