سال انتشار: ۱۳۹۱

محل انتشار: اولین کنفرانس ملی نانوالکترونیک ایران

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

افشین محمودیه چم پیری – سازمان متبوع نویسنده اول
محمد سروش – استادیار مهندسی برق، دانشگاه شهید چمران اهواز

چکیده:

در این مقاله مبانی و روش های محاسبه بهره ماده در لیزر و تقویت کننده های لیزری نیمه هادی مورد بررسی قرار گرفته است، سپس شبیه سازی عددی انجام شده برای حل معادله مورد نظر توضیح داده می شود. در پایان نتایج شبیه سازی مدل مورد نظر بهعنوان یک روش معتبر با دقت بالا ارائه شده است که د ر محدوده وسیع فرکانسی قابل استفاده می باشد. ماده استفاده شده برای شبیه سازی پیوند همگنInP و لایه مدفون InGaAsP به عنوان ناحیه فعال است. از این روش می توان برای پیش بینی بازه، بیشینه بهره و فرکانس قطع در طراحی لیزرهای نیمه هادی و تقویت کننده های نوری لیزری نیمه هادی استفاده کرد