سال انتشار: ۱۳۹۱

محل انتشار: اولین کنفرانس ملی نانوالکترونیک ایران

تعداد صفحات: ۶

نویسنده(ها):

میرمسعود حسینی کوکمری – دانشگاه علم و صنعت ایران
علیرضا احسانی اردکانی – دانشگاه صنعتی مالک اشتر

چکیده:

[توضیح سیویلیکا: فایل مقاله دارای مشکل است و فرمولها به درستی نمایش داده نمی شوند]
ترانزیستور تک الکترونی مهم ترین قطعه ای است که در علم نانوالکترونیک اختراع شده است و در صورت تولید این ترانزیستور به گونه ای که قابلیت کار در دمای اتاق را داشته باشد توان مصرفی وسایل الکترونیکی و قدرت محاسباتی پردازنده ها را میتواند متحول کند اساس کار ترانزیستور تک الکترونی بر پدیده ی تونل زنی استوار است. تونل زنی پدیده ای است که فقط با فیزیک کوانتوم قابل توجیه است و با فیزیک کلاسیکتوجیه نمی شود. در این مقاله با مدل سازی ساختار ترانزیستور واتصالات آن با مقاومت و خازن توانسته ایم معادلات ریاضی توضیح دهنده ی تونل زنی الکترون در ترانزیستور تکالکترونی را استخراج کنیم و با استفاده از این معادلات به توجیه رفتار الکترون و نحوه ی قرارگیری آن در باندهای انرژی به هنگام تونل زنی در ترانزیستور بپردازیم