سال انتشار: ۱۳۹۰

محل انتشار: سومین کنفرانس مهندسی برق و الکترونیک ایران

تعداد صفحات: ۵

نویسنده(ها):

حامد محمدیان – دانشگاه آزاد اسلامی واحد شوشتر
محمد سروش – استادیار دانشگاه شهید چمران اهواز

چکیده:

دراین تحقیق از مدلی ساده برای ارزیابی ترانزیستورهای نانوکربنی استفاده شده است در فصل اول سعی شده تا عملکرد مناسب درین ، سورس و گیت بررسی شود برای رسیدن به خصوصیاتمطلوب ترانزیستور شیب آستانه نزدیکبه محدوده گرمای یونی نسبت ON/OFF در حدود ۳ ۱۰ جریان ON و میزان میزان رسانایی نزدیک به محدوده سطح مشترک تحقیق شده است سپس راه کارهایی جهت رفع محدودیت های موجوددر ترانزیستورهای نانوکربنی ارائه شده از جمله پیشنهاد ساختار جدید برای FET که باعث افزایش مشخصه خروجی در ناحیه اشباع می شود و نیز استفاده از اکسید گیت با ضخامت نامتقارن برای کاهش جریان نشتی درین القا شده از گیت در افزاره سیلیکان و همچنین به بررسی عملکرد فرکانس بالای نانوتیوپ کربنی در محدوده فرکانسی GHz تا THz پرداخته و در مورد چگونگی برقراری پیوند بین دنیای نانویی و ماکرویی بحث می شود.