سال انتشار: ۱۳۹۱

محل انتشار: اولین کنفرانس ملی نانوالکترونیک ایران

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

محمدرضا جلالی – دانشگاه پیام نوراصفهان
مسعود کاوش تهرانی – دانشگاه صنعتی مالک اشترشاهین شهر

چکیده:

بررسی لایه های نازک ازجهت تغییرکمیت هاازقبیل اثردما برروی رسانندگی وچگونگی تاثیرآن براندازه دانه ها ازاهمیت ویژه ای برخورداراست.دراین پژوهش رسانندگی الکتریکی لایه Lnσ نازک سلنایدکادمیوم درابعادنانو بااعمال ولتاژیک ولت موردبررسی قرارگرفت وبارسم نمودار برحسب دما انرژی فعال سازی برابر ۳۳ / الکترون ولت اندازه گیری شد.تغییرات افزایش دمامتناسب باافزایش دانه هابه صورت نمایی است.