سال انتشار: ۱۳۹۰

محل انتشار: نوزدهمین کنفرانس مهندسی برق ایران

تعداد صفحات: ۶

نویسنده(ها):

سیدمعین سیدفخاری – دانشگاه صنعتی شریف،دانشکده مهندسی برق،آزمایشگاه ادوات و مدارهای اب
سیده سارا قریشی زاده – integrated system laboratory (LSI), Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL), Laussanne, Switzerland
علی مدی – دانشگاه صنعتی شریف،دانشکده مهندسی برق،آزمایشگاه طراحی مدارهای مجت
مهدی فردمنش – دانشگاه صنعتی شریف،دانشکده مهندسی برق،آزمایشگاه ادوات و مدارهای اب

چکیده:

مدلی جامع برای موبیلیتی حاملین در لایهی وارونگی MOSFETبرحسب دما، میدان مؤثر عمودی و طول کانال ارائه شده است.بدین منظور ترانزیستورهایی در چهار سایز مختلف با طول کانالهای متفاوت ساخته شد و موبیلیتی آنها در دمای اتاق و نیتروژن مایع و نیزچندین دمای میانی اندازه گیری شد، از روی نتایج این اندازه گیریها میزان هریک از مکانیزمهای پراکندگی در هر دما و برای هر طول کانال استخراج شد و با تطبیق این نتایج با منحنیهای چند جملهای نهایتاً وابستگی این مکانیزمها به طول کانال بدست آمد. بر اساس این نتایج مدلی جامع برای موبیلیتی حاملین در لایهی وارونگی ماسفت ارائه شد که تا حدود زیادی پارامترهای ساختاری ماسفت از جمله چگالی ناخالصی بدنه و ضخامت اکسید گیت در این مدل لحاظ شدهاست