سال انتشار: ۱۳۹۱

محل انتشار: چهارمین کنفرانس مهندسی برق و الکترونیک ایران

تعداد صفحات: ۸

نویسنده(ها):

حفظ الله محمدیان – شرکت مجتمع گاز پارس جنوبی
سعید ذاکری – دانشگاه آزاد اسلامی واحد میناب
ام البنین زاهدی دوهویی – دانشگاه آزاد اسلامی واحد میناب

چکیده:

تقویت کننده های توزیع شده را می توان با ادوات فعالی مانند HEMT, MESFET, MOSFET, CMOS و … پیاده سازی کرد. هر یک از این قطعات داری مشخصه های خاص مربوط به خود هستند. بررسی نویز در تقویت کننده های توزیع شده بستگی به نوع قطعه بکار گرفته شده به عنوان قطعه فعال دارد. به بیان دیگر هر قطعه فعال روابط نویزی مربوط به خود را دارا است. به همین دلیل یکی از مهمترین فاکتور ها جهت انتخاب نوع ترانزیستور در طراحی تقویت کننده های توزیع شده مسئله نویز قطعه فعال بکار گرفته شده است. در این بخش به بررسی و آنالیز مشخصه نویز تقویت کننده های توزیع شده برای ۲ قطعه فعال MESFET و (CMOS) MOSFET که بیشترین کاربرد را در تقویت کننده های توزیع شده دارند می پردازیم. ابتدا به بررسی مشخصه نویز در تقویت کننده های توزیع شده که از MESFET به عنوان قطعه فعال استفاده شده است می پردازیم و روابط و نتایج مربوط به مشخصه نویز و رفتار نویزی این تقویت کننده ها را مورد بررسی قرار می دهیم. سپس مشخصه نویز در تقویت کننده های توزیع شده که از (CMOS)MOSFET به عنوان قطعه فعال استفاده شده است می پردازیم و روابط و نتایج مربوط به مشخصه نویز و رفتار نویزی این تقویت کننده ها را مورد بررسی قرار می دهیم.