سال انتشار: ۱۳۹۰

محل انتشار: اولین همایش ملی نانومواد و نانو تکنولوژی

تعداد صفحات: ۶

نویسنده(ها):

فاطمه حقایقی – دانشگاه آزاد اسلامی واحد کرج دانشکده علوم گروه فیزیک
علیرضا هژبری –
کیخسرو خجیر –

چکیده:

ابتدا لایه های نازک مولیبدن با استفاده از روش اسپاترینگ مغناطیسی DC برروی زیرلایه های سیلیکون و کوارتز به وسیله هدف مولیبدن با خلوص ۹۹/۹% تهیه گردید که ضخامت لایه تهیه شده درحدود ۱۹۰/۳ نانومتر اندازه گیری شد سپس لایه های مولیبدن را درداخل کوره بازپخت درمعرض گاز نیتروژن دردماهای ۴۰۰ و ۵۵۰ و ۷۰۰ و ۸۵۰ درجه سانتیگرادبا شیب حرارتی ۵C/min نیترید کردیم آنالیزهای F.P.P AFM <XRD برروی نمونه ها صورت گرفت از آنالیز Xrd برای شناسایی فازها و جهت ترجیحی لایه ها استفاده گردید مورفولوژِ سطح لایه های نیترید مولیبدن نیز با استفاده ازآنالیز AFM بررسی و مشخص گردید که با افزایش دمای بازپخت لایه ها زبری سطح نیز افزایش می یابد مقاومت سطحی لایه ها نیز به وسیله F.P.P اندازه گیری و مشاهده شد که با افزایش دمای بازپخت مقاومت سطحی و مقاومت ویژه ی لایه های نازک نیترید مولیبدن کاهش می یابد که نشان دهنده رسانایی الکتریکی بهتر لایه ها می باشد.