سال انتشار: ۱۳۹۰

محل انتشار: نوزدهمین کنفرانس مهندسی برق ایران

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

محسن مرادی – صنایع قطعات نیمه هادی صنعت آپتوالکترونیک
محمد دارایی –
مرتضی راستگو –
علی اوسط علیپور –

چکیده:

مادراین مقاله با شبیه سازی و ساخت سه نوع فتودیود مادون قرمز InSb نشان میدهیم که باانتخاب تراکم ناخالصی ۲×۱۰ ۱۵ Cm-3 برای نوع n- و ۱×۱۰ ۱۸cm-3 برای نوع -p حساسه بیشینه مقاومت خود را نسبت به تراکم های دیگر دارد دراین شرایط بیشینه مقاومت از بایاس صفر تاحدود ۳۰۰-mV وجود دارد که بازه مجاز بایاس آشکارساز درشرایط بهینه را نشان میدهد دراین حالت حساسه ای با حاصلضرب مقاومت درمساحت ۱/۴×۱۰ ۵QCM2 دربایاس ۵۰-mV ساخته شده است.