سال انتشار: ۱۳۹۱

محل انتشار: بیستمین کنفرانس مهندسی برق ایران

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

فاطمه نجفی – دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکز
محمدکاظم مروج فرشی – دانشگاه تربیت مدرس
علیرضا کاشانی نیا – دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکز

چکیده:

مدل تحلیلی شبه استاتیک برای یک فراماده مغناطیسی تشکیل شده ازتشدیدگر حلقوی گاف دار با دو بستردی الکتریک ارایه می شود نفوذ پذیری مغناطیسی این فراماده به ازای بسامد تشدید ساختارمنفی است درمدل تحلیلی ارایه شده که بصورت مدار معادل LC می باشد از روش به کارگرفته شده درمحاسبه ظرفیت خازن مسطح چندلایه استفاده می شود دراین مدل برخلاف مدلهای قبلی دو بستر دی الکتریک برای تشدیدگر حلقوی گاف دار درنظر می گیریم همچنین تاثیر ثابت دی الکتریک و ضخامت بستردوم را برجابجایی بسامد تشدید ساختار بررسی می کنیم سپس نتایج بدست آمده را با نتایج حاصل از شبیه اسزی ساختار توسط نرم افزار HFSS مقایسه می کنیم نتایج شبیه سازی نشان میدهد بیشینه خطا دربسامد تشدید حاصل از مدل تحلیلی در حدود ۴ درصد است درپایان برای سلول واحد مورد بررسی رابطه بسامد تشدید را برحسب ثابت دی الکتریک بستر دوم بدست می آوریم