سال انتشار: ۱۳۹۰

محل انتشار: اولین همایش ملی نانومواد و نانو تکنولوژی

تعداد صفحات: ۱۱

نویسنده(ها):

محمدجواد مهینی فر – دانشجوی کارشناسی ارشد الکترونیک
محمود آل شمس – استاد راهنمای دانشگاه آزاد اسلامی واحد فسا دکتری الکترونیک
محسن ایمانیه – دکتریالکترونیک

چکیده:

امروزه با رشد فناوری نانو درهمه ابعاد شاهدجهشی بزرگ در عرصه فناوری هستیم دراین راستا شاید بتوان علم الکترونیک را به عنوان پیشرو این صنعت برشمرد می دانیم که ترانزیستور های با ابعاد ریزمیکون و نانوباعث انقلابی درصنعت کامپیوتر شده است یکی از مهمترین اهداف طراحان دست یابی مدارات با توان ورودی پایینتر می باشد دراین زمینه کاهش ابعاد ترانزیستورها و همچنین چندین تکنیک از قبیل راه اندازی از طریق پایه بالک زیراستانه خودکسکود و گیت شناور و … Floating-gate ; Self-cascodeSub-Threshold ; Bulk-driven برای کاهش ولتاژ تغذیه مورد استفاده قرارمی گیرد فناوری Bulk-driven بطور عمده درطبقه ورودی تقویت کننده دیفرانسیلی و جریان آینه ای مورد استفاده قرارگرفته است دراین مقاله به بررسی طبقه ورودی برای یک تقویت کننده با تکنیک Gate-driven Bulk-driven درمقیاس نانو می پردازیم اولین مرحله از طراحی یک ریزتراشه نیاز به شبیه سازی مدارات طراحی شده داریم مدلهایمختلفی برای برنامه ای کاربردی شبیه سازی ارایه شده است شرکت های سازنده ترانزیستور نیز برای طراحان مدلهای ارایه داده اند استفاده از یک مدل مناسب به طراحاان مدارهای دیجیتال و آنالوگ این امکان را میدهد تا پیش از فرایندساخت درک مناسبی از رفتار مدارطرح شده داشته باشند.