سال انتشار: ۱۳۸۹

محل انتشار: چهارمین همایش مشترک انجمن مهندسین متالورژی و جامعه علمی ریخته گری ایران

تعداد صفحات: ۱۱

نویسنده(ها):

حامد دانشور – کارشناسی مهندسی مواد
جعفر خلیل علافی – دانشیار دانشکده مواد دانشگاه صنعتی سهند
حسن بیدادی – استاد کامل دانشکده فیزیک دانشگاه تبریز
فرامرز هادیان – مربی دانشکده فیزیک دانشگاه تبریز

چکیده:

لایه های نازک آلیاژ حافظه دار NiTi توسط روش کندوپاش مغناطیسی تهیه گردید. به دلیل تولید این لایه ها د ردمای اتاق (پایین) ساختار آنها بلافاصله پس از تولید آمئرف می باشد. پراش پرتوایکس (XRD)، میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) و گرماسنجی افتراقی (DSC) با روش غیر هم دما (گرمایش با نرخ ثابت) به منظور بررسی میکرو یاختار، تعیین انرژی فعال سازی و مکانیزم رشد و جوانه زنی بکار برده شد. وابستگی سرعت رشد و دمای کریستالیزاسون با استفاده از الگوهای DSC تعیین گردید. نتایج نشان داد دمای تبلور و ماکزیمم سرعت استحاله فاز آمورف به کریستاله (متبلور) با افزایش نرخ گرمایش، بیشتر می شوند همچین جوانه زنی پیوسته و رشد یک بعدی تحت کنترل فصل مشترک مکانیزم غالب در استحاله می باشند. انرژی فعال سازی نیز ۳۷۰/۹۴Kj/mole می باشد که با استافده از روش ماتوسیتا و کسینجر اصلاح شده محاسبه گردید.