سال انتشار: ۱۳۹۱

محل انتشار: اولین کنفرانس ملی نانوالکترونیک ایران

تعداد صفحات: ۶

نویسنده(ها):

آرش بوچانی – گروه فیزیک پلاسما ،دانشگاه علوم و تحقیقات،تهران
زهره شجاعی برجویی –
سحر کاظمی –

چکیده:

در این مقاله ما ساختار نوارهای انرژی انبوهه)Zn1-xCrx S(دردو فاز مکعبی وهگزاگونالی را مورد بررسی قرار دادیم .محاسبات با استفاده ازروش امواج تخت تقویت شده ی خطی با پتانسیل کاملFP-LAPW(در چارچوب نظریه تابعی چگالیDFT( و بااستفاده از نرم افزارWEIN2k( صورت گرفته است. نتایج بدست آمده با استفاده ازتقریب EV-GGA )Engel-Voskoنشان می دهد که ترکیبZnS خالص درهر دو فاز زینک بلندو وورتسایت دارای گاف نواری مستقیم ۲٫۹۰evدر نقطهГ می باشد. .همچنین نتایج نشان می دهد با افزودن ناخالصیCrبه نیمرسانایZnS این ترکیب خاصیت نیم فلزی پیدا می کند.نتیجهی محاسبات در توافق خوبی با تجربه است