سال انتشار: ۱۳۹۰

محل انتشار: اولین همایش ملی نانومواد و نانو تکنولوژی

تعداد صفحات: ۹

نویسنده(ها):

لادن زاهدی فرد – دانشجوی کارشناسی ارشد فیزیک
سکینه شیرولیلو – دانشجوی کارشناسی ارشد فیزیک

چکیده:

فوتوولتاییک یعنی تبدیل مستقیم انرژی خورشیدی به انرژی الکتریکی توسط سلولهای خورشیدی یک تکنولوژی امیدبخش برای تولید نیروی الکتریکی ارزان می باشدامروزه تجارت pv توسط ویفرهای سیلیکان بلورین توسعه بیشتری یافته است درصورتی که بامتمرکز کردن مواد اولیه آن تکنولوژی ویفری به سطح بهای قابل قبول برای کاربردهای گسترده PV خواهد رسید راه حل این مشکل شاید سلولهای خورشدی فیلم نازک سیلیکان چندبلوری SPC برروی شیشه باشد که برای هر واحد مساحت به کمتر از یک درصد سیلیکان درقیاس با تکنولوژی پایه ویفر امروزی نیاز دارد سلولهای خورشیدی EVA فیلم نازک poly-Si که با روش لایه نشانی PECVD از دیودهای پیش ماده a-Si برروی شیشه بدست می آیند قادر به تولید ابزاری با بهره وری فوتوولتاییک قابل قبول می باشند این امر هنوز برای وسیال مشابه که از دیودهای پیش ماده si تبخیر شده ساخته شده اند اثبات نشده است دراین مقاله تاکید برروی عوامل محدوده کننده ی کیفیت ماده به کاررفته درساختار سلولهای خورشیدی EVA برای کاربردهای فوتوولتائیک همچنین بررسی سطوح ناخالصی ویژگیهای اپتیکی ویژگیهای انتقال وکارآمدی روشهای تولید سلولهای خورشیدی EVA می باشد.