سال انتشار: ۱۳۹۰

محل انتشار: اولین همایش ملی نانومواد و نانو تکنولوژی

تعداد صفحات: ۷

نویسنده(ها):

آزاده منتظری – دانشگاه آزاد اسلامی واحد کرج گروه فیزیک
سیدمجید برقعی –

چکیده:

دراین تحقیق لایه های نازک مولیبدنیم با ضخامتهای متفاوت برروی بستری از سیلیکون به روش کندوپاش مغناطیسی جریان مستقیم لایه نشانی شد به منظور بررسی خصوصیات سطحی لایه های نازک سه نمونه با ضخامت های ۳۰، ۵۰ و ۱۰۰ ننومتر برروی سطح پولیش خورده ی سیلیکون لایه نشانی شدند پس ازآن یک نمونه نیز با ضخامت ۱۰۰ نانومتر برروی سطح دیگر سیلیکون که زیربود لایه نشانی شد نتایج آنالیز پراش پرتوایکس XRD نشان داد که میزان ناهمواری زیرلایه تاثیر چندانی برروی بلورینگی لایه نازک مولیبدنیمندارد نتایج حاصل از میکروسکوپ نیروی اتمی AFM نیز حاکی از افزایش ناهمواری سطح با افزایش ضخامت بود ولی لایه نازک مولیبدنیم لایه نشانی شده برروی سطح زبر درمقایسه با نمونه ی هم ضخامت خود که برروی سطح پولیش خورده لایه نشانی شده بود ناهمواری سطحی کمتری داشته و درکل کمترین ناهمواری را از خود نشانداد.