سال انتشار: ۱۳۹۰

محل انتشار: اولین همایش ملی نانومواد و نانو تکنولوژی

تعداد صفحات: ۱۱

نویسنده(ها):

آرش بوچانی – آموزشکده فنی حرفه ای سما دانشگاه آزاد اسلامی واحد کرمانشاه ایران
سلیمان شیرزادی –

چکیده:

ترکیبات هویسلر کاربرد وسیعی درصنعت اسپینترونیک دارند ترکیب هویسلر Co2MnSn درفاز مغناطیسی پایدارتر از فاز غیرمغناطیسی آن است فشارگذار محاسبه شده برای انتقال فاز از فاز مغناطیسی به غیرمغناطیسی ۷٫۳۹(GPa)محاسبه شده است این ترکیب دارای دمای دبای بالا و پایداری الاستیکی مناسبی است درحالت تعادل Co2MnSn نیم فلز است و دراسپین اقلیت حالات الکترونی سطح فرمی را قطع نمی کنند اما تحت فشار اندازه گاف نواری تغییر می کند ودرفشارهای منفی حالات الکترونی سطح فرمی را قطعه می کنند با استفاده از تقریب GGA دربررسی منحنی چگالی حالات الکترونی فیلم لایه نازک Co2MnSn(001خاصیت نیم فلزی از بین رفته است ممان مغناطیسی محاسبه شده برای این نانو ساختار ۴۹٫۵۵ مگنتون بوهر میب اشد انرژی چسبندگی فیلم لایه نازک -۲٫۳eV Co2MnSn(001 می باشد که نشاندهنده پایداری این نانوساختار است.