سال انتشار: ۱۳۹۱

محل انتشار: اولین کنفرانس ملی نانوالکترونیک ایران

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

زهرا صدرزاده – گروه فیزیک دانشگاه علوم و تحقیقات کرمانشاه، کرمانشاه
سیدمحمد الهی – گروه فیزیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران، تهران
آرش بوچانی – گروه فیزیک دانشگاه آزاد کرمانشاه، کرمانشاه

چکیده:

ساختار الکترونی ترکیب هویسلرCo2MnSnبا به کار گیری نظریه تابعی چگالیو با تقریب شیب تعمیم یافتهGGAبا استفاده از کدWIEN2Kمورد مطالعه قرارگرفته است. ترکیبات هویسلر کاربرد وسیعی در صنعت اسپینترونیک دارند.ترکیب هویسلرCo2MnSnدر فاز مغناطیسی پایدارتر از فاز غیر مغناطیسی آن است. این ترکیب دارای دما ی دبای بالا وپایداری الاستیکی مناسبی است .در حالت تعادلCo2MnSnنیم فلز است و در اسپین اقلیت حالات الکترونی سطح فرمی را قطع نمی کنند اما تحت فشار اندازه گاف نواری تغییر می کند و در فشارهای منفی حالات الکترونی سطح فرمی را قطع می کنند