سال انتشار: ۱۳۹۱

محل انتشار: اولین کنفرانس ملی نانوالکترونیک ایران

تعداد صفحات: ۲۱

نویسنده(ها):

شهپر محمدی – دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات کرمانشاه
آرش بوچانی – دانشگاه آزاد اسلامی واحد کرمانشاه
سیدمحمد الهی – دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران
آذین بابادی – دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات کرمانشاه

چکیده:

دراین مقاله خواص ساختاری، الکترونی و مغناطیسیی ترکیبCo2MnGeبا استفاده ازنظریه تابع چگالی و کدمحاسباتی Wien2k مورد مطالعه قرار گرفته است ترکیبات هویسلر کاربرد وسیعی درصنعت اسپینترونیک دارند ترکیب هویسلر Co2MnGe درفاز مغناطیسی پایدارتر ازفاز غیرمغناطیسی آن است فشارگذار محاسبه شده برای انتقال فاز از حالت مغناطیسی به غیرمغناطیسی GPA3/12 محاسبه شده است این ترکیب دارای دمای بالا و پایداری الاستیکی مناسبی است درحالت تعادل Co2MnGe نیم فلز است و دراسپین اقلیت حالات الکترونی سطح فرمی را قطع نمی کنند اما تحت فشاراندازه گاف نواری تغییر می کند ودرفشارهای مثبت حالات الکترونی سطح فرمی را قطع می کنند.