سال انتشار: ۱۳۹۱

محل انتشار: اولین کنفرانس ملی نانوالکترونیک ایران

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

امیر اکبری – دانشگاه پیام نور مشهد،مشهد
هادی عربشاهی – دانشگاه پیام نورفریمان

چکیده:

در این تحقیق ترانزیستور اثر میدان فلز، اکسید، نیمرساناMOSFET)درابعاد نانو با پایهInP توسط روش آماری شبیه سازی مونت کارلو با در نظر گرفتن عوامل پراکندگی و اثرات غیر سهموی بودن نوار انرژِی مورد محاسبه قرار گرفت. طول گیت۵۰nmدر نظر گرفته شد. ترانزیستور در مد افزایشی و با ولتاژ گیت۰٫۸ v مورد بررسی قرار گرفت و خواص الکتریکی و فیزیکی جریان، انرژی و سرعت سوق در طول دستگاه بدست آمد و نتایج ولتاژ درین ۰٫۲ و ۰٫۶ و ۱٫۰ با هم مقایسه شد. اندازه گیری سرعت سوق تغییرات تحرک پذیری در طول دستگاه را نشان می دهد