سال انتشار: ۱۳۹۱

محل انتشار: اولین همایش بین المللی و ششمین همایش مشترک انجمن مهندسی متالورژی ایران

تعداد صفحات: ۱۰

نویسنده(ها):

سعید محمدی – فارغ التحصیل کارشناسی ارشد، دانشکده مهندسی متالورژی و مواد ، پردیس دا
حسین عبدی زاده – دانشیار، دانشکده مهندسی متالورژی و مواد ، پردیس دانشکده های فنی، دان
محمدرضا گل وبستان فرد – دانشجوی دکتری، دانشکده مهندسی متالورژی و مواد ، پردیس دانشکده های فن

چکیده:

لایه نازک نانوساختار اکسید ایندیم قلعITO) با شفافیت بالا در محدوده نور مرئی و هدایت مناسب به روش لایه نشانی چرخشی تهیه شد. بدین منظور، محلول سل اولیه شامل محلول های کلرید ایندیم و کلرید قلع با روش لایه نشانی چرخشی بر روی زیر لایه با سرعت ۳۰۰۰ دور بر دقیقه نشانده شد. سپس لایه ایجاد شده در دمای ۵۰۱° خشک شده و تحت عملیات آنیل در محدوده دمایی ۳۰۰ تا ۷۰۰° با نرخ حرارت دهی ۲ و ۵°C/min قرار گرفت. جهت بررسی لایه های نازک از پراش پرتو اشعهXRD) Xمیکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانیFESEM) روش مقاومت سنجی چهار نقطه ای و طیف سنجی جذب و نشر استفاده شد. موقعیت پیک ها در طیف های آنالیزXRD موید تشکیل فازهای کریستالی مکعبی بیکسبیتIn2O3و فاز کریستالی رومبوهدرالITO می باشد.