سال انتشار: ۱۳۹۱

محل انتشار: اولین کنفرانس ملی نانوالکترونیک ایران

تعداد صفحات: ۵

نویسنده(ها):

حمداله صالحی – آزمایشگاه ماده چگال محاسباتی، گروه فیزیک، دانشگاه شهید چمران،
صغری بهرامی ده توتی – آزمایشگاه ماده چگال محاسباتی، گروه فیزیک، دانشگاه شهید چمران،

چکیده:

در این مقاله تأثیرات اندازه و پیوندهای آویزان بر پایداری و گاف انرژی نانوسیمهای فاز ورتسایتInAs بررسی شده است . محاسبات در چارچوب نظریهی تابعی چگالی و به روش شبه پتانسیل توسط بستهی نرم افزاریEspresso با تقریبLDA انجام شده است . با مقایسهی انرژی تشکیل نانوسیمها، پایداری آنها مورد بررسی قرار گرفت. نتایج بدست آمده نشان می دهد با افزایش قطر، چگالی پیوندهای آویزان کمتر و پایداری نانوسیمهابیشتر میشود. همچنین مقدار گاف نواری برای حالت توده و نانوسیمها محاسبه شد. در قطرهای کوچک با افزایش گاف مواجه هستیم، اما در قطرهای بزرگتر روندی نزولی در گافنواری دیده میشود و به مقدار گاف حالت توده همگرا میشود