سال انتشار: ۱۳۹۰

محل انتشار: چهاردهمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق ایران

تعداد صفحات: ۶

نویسنده(ها):

فاطمه پارسایی – گروه فیزیک دانشگاه خلیج فارس بوشهر
تهمینه جلالی – گروه فیزیک دانشگاه خلیج فارس بوشهر

چکیده:

دراین مقاله بلور فوتونیک مغناطیسی بس لایه ای به منظور کاربرد در ایزولاتورهای نوری مورد بررسی قرارمیگیرد پارامترهای اپتیکی و معادلات الکترومغناطیسی حاکم بر این بلورها معرفی می شوند و کاربردشان در ابزارهای مدار مجتمع نوری از جمله ایزولاتورها بیان می گردد شبیه سازی یک بلور فوتونیک مغناطیسی بس لایه ای که دارای ساختاری متناوب متشکل از بیست لایه ی سریم تری فلوئورید / کلسیم فلوئورید است براساس روش المان متناهی به صورت سه بعدی انجام می شود طیف عبوری ح اصل ازاین ساختار برای بهینه سازی کاربرد آن در ایزولاتورهادر طول موج های اپتیکی بررسی میشود سپس با تغییر ضخامت لایه های متناوب اثر آن در تغییر طیف عبوری ارزیابی می گردد.