سال انتشار: ۱۳۹۰

محل انتشار: اولین همایش ملی نانومواد و نانو تکنولوژی

تعداد صفحات: ۶

نویسنده(ها):

حامد باغبانی ریزی – دانشگاه جامع امام حسین ع گروه فیزیک
محمدعلی طالبیان درزی –

چکیده:

دراین مقاله تاثیر ضخامت لایه ها برخواص حامل ها در سامانه ای شامل یک نقطه کوانتومی کروی GaAs-(Ga,Al)As بررسی شده است دراین راستا از تقریب جرم موثر و روش تفاضل محدود استفاده شده است نتایج بدست آمده حاکی از آن است که با افزایش یا کاهش ضخامت لایه ها دراین سیستم ترازهای انرژی انرژی پتانسیل ودیگر خواص سامانه تغییر می کند