سال انتشار: ۱۳۹۱

محل انتشار: بیستمین کنفرانس مهندسی برق ایران

تعداد صفحات: ۶

نویسنده(ها):

نگین معنوی زاده – دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی
ابراهیم اصل سلیمانی – دانشکده فنی دانشگاه تهران
فرشید رئیسی – دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی

چکیده:

هدف این مقاله بررسی عملکرد دیوداثرمیدانی اصلاح شده Modified-FED با تغییر ضخامت اکسیدگیت است ساختار این دیود مشابه با یک MOSFET است با این تفاوت که سورس و درین آن از هر دو آلایش نوع pو n تشکیل شده و همچنین دارای دو گیت برروی کانال است به منظوریافتن کمترین ضخامت موثراکسیدگیت این افزارها با ضخامت های اکسید ۲و۵و۱۰ نانومتر شبیه سازی شده و نتایج حاصله دراینم قاله ارایه شده است از این رو مشخصه جریان نوار هدایت توزیع پتانسیل الکترواستاتیک و پروفایل چگالی حاملها دردو حالت روشن و خاموش مورد بررسی قرارگرفته است نتایج نشان میدهد که درضخامت اکسید ۲ نانومتر برای چنین ساختاری کنترل گیت ها برکانال بیشتر بوده بدون آنکه کاهش ضخامت برروی عملکرد افزاره تاثیر نامطلوب داشته باشد.