سال انتشار: ۱۳۹۰

محل انتشار: سومین کنفرانس مهندسی برق و الکترونیک ایران

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

عبدالنبی کوثریان – دانشگاه شهید چمران اهواز
علیرضا کرامت زاده – دانشگاه شهید چمران اهواز

چکیده:

سلولهای خورشیدی چاه کوانتومی به عنوان نسل سوم سلولهای خورشیدی جایگاهی مهم در تبدیل انرژی های نوری پیدا کرده اند بالا بردن بازده این گونه سلولها کمک شایانی به تولید و استفاده بهینه تر از انرژی خورشیدی می کند دراین مقاله پدیده بازترکیب در یک سلول نمونه InGaP/InGaAs/Ge بررسی شده است در ادامه پس از بررسی عوامل بازترکیب به کمک روش ماتریس انتقالی TMM و حل معادله شرودینگر رابطه بین بازترکیب و عمق چاه کوانتومی سلول محاسبه و نتایج با مدل عملی مقایسه شده است برای شبیه سازی از نرم افزار MATLAB استفاده شده است.