سال انتشار: ۱۳۹۰

محل انتشار: سومین کنفرانس مهندسی برق و الکترونیک ایران

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

احمد تقی نیا – دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی
مرتضی فتحی پور – دانشکده برق وکامپیوتر دانشگاه تهران
فواد یزدی – دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی

چکیده:

دراین مقاله سعی بر آن شده است که ابتدا پارامترهای مهم سلول خورشیدی تک اتصالی GaAs که از یک اتصال ساده p-n تشکیل شده است را بدست آوریم سپس اثر اضافه نمودن لایه های پنجره و میدان سطح پشتی Back Surface Field) از جنس InxGa(1-x)P به ترتیب در بالا و پایین قطعه موردبررسی قرار دهیم