سال انتشار: ۱۳۹۱

محل انتشار: بیستمین کنفرانس مهندسی برق ایران

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

حمیده ذوالفقاری – دانشگاه تربیت معلم سبزوار
سیدابراهیم حسینی – دانشگاه فردوسی مشهد

چکیده:

دراین مقاله اثرتابع کارگیت سه فلزی برروی عملکرد ترانزیستور FinFET با کانال احاطه شده توسط گیت بررسی شده است این ساختار توسط ATLAS Silvaco شبیه سازی شده و نتایج آن نشان میدهند که با انتخاب فلز با تابع کار مناسب می توان آثار کانال کوتاه را کاهش داد و همچنین به دلیل افزایش کنترل گیت برروی کانال بارهای ناشی از درین درکانال کاهش یافته درنتیجه DIBL کاهش می یابد و عملکرد زیرآستانه نزدیک به ایده آل را نشان میده DIBL برابر با۱/۴mv/v و شیب زیراستانه کمتر از ۶۵mv/dec گواهی برادعای ما می باشند.