سال انتشار: ۱۳۹۰

محل انتشار: نوزدهمین کنفرانس مهندسی برق ایران

تعداد صفحات: ۶

نویسنده(ها):

آرش دقیقی – استادیار دانشگاه شهرکرد
شهین زمانی – دانشجوی کارشناسی ارشد

چکیده:

دراین مقاله مشخصه دمایی زیرپایه های سیلیکون روی عایق Soi و سیلیکون روی الماس sod با استفاده از شبیه سازی هیدرودینامیک ترانزیستورهای با طول کانال ۴۵ نانومتر مورد بررسی قرارگرفته است الماس دارای هدایت گرمایی درحدود ۱۴۰۰ برابر اکسید سیلیکون می باشد لذا با انتقال سریع گرما درزیرپایه های سیلیکون روی الماس دمای شبکه سیلیکون نسبت به زیرپایه های سیلیکون روی عایق بسیار افت کرده بطوریکه امکان استفاده ازاین زیرپایه ها را درشرایط دمایی یکسان و توان بالاتر فراهم می کند نتایج شبیه سازی ترانزیستور سیلیکون روی الماس با طول کانال ۴۵ نانومتر نشان دهنده حداقل ۴۸ درصد کاهش دما دربایاس VGS=VDS=1/1 V درمقایسه با ترانزیستور سیلیکون روی عایق می باشد دراین مقاله برای اولین بار اثرعایق مدفون الماس درانتقال حرارت تولید شده درترانزیستور فعال به ترانزیستورهای کناری مورد بررسی قرارمیگیرد.