سال انتشار: ۱۳۹۰

محل انتشار: سومین کنفرانس مهندسی برق و الکترونیک ایران

تعداد صفحات: ۴

نویسنده(ها):

علی حق شناس – آزمایشگاه شبیه سازی و مدل سازی افزاره دانشگاه تهران
مرتضی فتحی پور –

چکیده:

در این مقاله تاثیر خودگرمایی برمشخصه جریان – ولتاژ افزاره AlGaN/GaN HEMT مورد بررسی قرارگرفته است نتایج این بررسی نشان میدهد خودگرمایی افزاره به شدت تحت تاثیر تراکم خطوط میدان الکتریکی در راستای کانال افزاره می باشد اغلب به منظور افزایش ولتاژ شکست گیت افزاره از صفحه میدان در ساختار افزاره ها جهت کاربردهای ولتاژ بالا استفاده می شود با توجه به نتایج شبیه سازی مشخص شده است که استفاده از صفحات میدان سبب تشدید اثر خودگرمایی در افزاره می شود دراین مقاله نشانداده شده است که استفادها ز صفحه میدان در ساختار افزاره منجر به کاهش ۱۰ درصدی جریان درین نسبت به ساختار بدون صفحه میدان میشود چگونگی تاثیر استفادها ز صفحه میدان بررفتار گرمایی افزاره AlGaN/GaN HEMT بیان گردیده است.