سال انتشار: ۱۳۹۱

محل انتشار: بیستمین کنفرانس مهندسی برق ایران

تعداد صفحات: ۶

نویسنده(ها):

علی حق شناس – آزمایشگاه شبیه سازی و مدل سازی افزاره، دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر
مرتضی فتحی پور – آزمایشگاه شبیه سازی و مدل سازی افزاره، دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر

چکیده:

در این مقاله تاثیر پدیده خودگرمایی بر مشخصه جریان ولتاژ افزاره – – AlGaN/GaN HEMT مورد بررسی قرار گرفته است و مدارمعادلی برای مقاومت گرمایی کل این افزاره با در نظر گرفتن مقاومت گرمایی لایه منفعل ساز داده شده است. نتایج این بررسی نشان می دهد که میزان خودگرمایی افزاره به جنس ماده و ضخامت لایه منفعل ساز افزاره وابستگی زیادی دارد. دو نوع لایه منفعل ساز Si3N4 و SiO2 برای GaN HEMT مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج حاصل از شبیه سازی ها نشان می دهند که استفاده از لایه منفعل ساز Si3N4 در مقایسه با SiO2 موجب کاهش ۵۱ درصدی اثرات خودگرمایی می گردد. همچنین با انتخاب ضخامت مناسب لایه منفعل ساز اثر خودگرمایی کاهش می یابد