مقاله بررسی ورقه های سیلیکونی (۱۱۱) و مقایسه آن با زیر لایه های سیلیکونی (۱۰۰) که چکیده‌ی آن در زیر آورده شده است، در بهار ۱۳۹۱ در پژوهش فیزیک ایران از صفحه ۸۵ تا ۸۹ منتشر شده است.
نام: بررسی ورقه های سیلیکونی (۱۱۱) و مقایسه آن با زیر لایه های سیلیکونی (۱۰۰)
این مقاله دارای ۵ صفحه می‌باشد، که برای تهیه‌ی آن می‌توانید بر روی گزینه‌ی خرید مقاله کلیک کنید.
کلمات مرتبط / کلیدی:
مقاله نانوترانزیستورها
مقاله درگاه دی الکتریک
مقاله زیرلایه سیلیکونی و تکنیک طیف نمایی فتوگسیلی

نویسنده(ها):
جناب آقای / سرکار خانم: بهاری علی

چکیده و خلاصه‌ای از مقاله:
در نانو ترنزیستورهای دهه اخیر، Si(100) به عنوان یک زیرلایه یا بستر مناسب به کار می رود. مسائلی نظیر افزایش جریان تونلی و نشتی با کاهش اندازه قطعات الکترونیکی و بویژه ترانزیستورهای اثر میدانی سبب شده است تا امکان به کارگیری بیشتر آن مورد تردید قرار گیرد. به همین دلیل در کار حاضر تلاش شده است تا با انجام یک سری از آزمایشات و رشد فیلم های فرانازک بر روی هر دو زیرلایه Si(100) و Si(111) به بررسی نانوساختاری فیلم های مزبور پرداخته و امکان جایگزینی Si(100) با Si(111) مورد مطالعه قرار گیرد. نتایج به دست آمده در کار حاضر نشان می دهد که Si(111) با درگاه دی الکتریک های نیتریدی مناسب تر است.