مقاله بررسی تاثیر تابش لیزر بر خواص الکتریکی و ساختاری لایه های نازک ZnO که چکیده‌ی آن در زیر آورده شده است، در زمستان ۱۳۹۱ در پژوهش فیزیک ایران از صفحه ۳۲۳ تا ۳۳۰ منتشر شده است.
نام: بررسی تاثیر تابش لیزر بر خواص الکتریکی و ساختاری لایه های نازک ZnO
این مقاله دارای ۸ صفحه می‌باشد، که برای تهیه‌ی آن می‌توانید بر روی گزینه‌ی خرید مقاله کلیک کنید.
کلمات مرتبط / کلیدی:
مقاله لایه های نازک ZnO
مقاله اکسید رسانای شفاف
مقاله لیزر پالسی
مقاله XRD ،AFM

نویسنده(ها):
جناب آقای / سرکار خانم: اسکندری فاطمه
جناب آقای / سرکار خانم: رنجبر مهدی
جناب آقای / سرکار خانم: کاملی پرویز
جناب آقای / سرکار خانم: سلامتی هادی

چکیده و خلاصه‌ای از مقاله:
در این مقاله لایه نازک ZnO به روش سل ژل بر روی زیرلایه شیشه ساخته شده است. لایه های اولیه ابتدا در دمای ۳۰۰، ۴۰۰ و ۵۰۰oC خشک و سپس در دماهای ۳۰۰، ۴۰۰ و ۵۰۰oC پخت شده اند. اندازه گیری مقاومت دو نقطه ای نشان می دهد که مقاومت الکتریکی لایه های آماده شده، بسیار زیاد است. تابش پرتو لیزر اگزایمر (l=248 nm) KrF با تعداد پالس ۱۰۰۰، فرکانس ۱ Hz و انرژی ۹۰ mJ/cm2 بر سطح لایه باعث کاهش مقاومت الکتریکی لایه می شود. طیف پراش پرتو ایکس (XRD) بهبود ساختار هگزاگونال ورتسایت لایه را تایید می کند، و آنالیز AFM و FE-SEM شکل گیری منظم و دایروی دانه ها بر سطح لایه را نشان داد. اندازه ذرات بعد از تابش لیزر از ~۱۰ nm به ~۳۰ nm افزایش پیدا می کند. به طور کلی، نشان داده شده است که، ویژگی های ساختاری، الکتریکی و مورفولوژی لایه ها با تابش لیزر به طور قابل ملاحظه ای بهبود می یابد.