سال انتشار: ۱۳۹۱

محل انتشار: بیستمین کنفرانس مهندسی برق ایران

تعداد صفحات: ۵

نویسنده(ها):

محبوبه نصیری فر – دانشگاه آزاد اسلامی واحد اراک
علیرضا مجاب – دانشگاه تهران
مرتضی فتحی پور – دانشگاه تهران

چکیده:

در این مقاله ابتدا به بررسی شبیه سازی عددی افزاره ی SOI-LDMOS می پردازیم. سپس با استفاده از تکنیک اکسید مدفوندوگانه، نشان خواهیم داد که ولتاژ شکست این افزاره نسبت به افزاره ی مرسومSOI-LDMOSبا اکسید مدفون سرتاسری، حدود ۲۱/۶۴ درصد افزایش می یابد. همچنین با استفاده از این تکنیک، اثر خودگرمایی به میزان ۲۸/۳۶درصد کاهش می یابد. مزیت روش پیشنهادی این است که جریان نشتی و فرکانس قطع افزاره تغییر چندانی نمی یابد