سال انتشار: ۱۳۹۰

محل انتشار: اولین کنفرانس ملی تخلیه های الکتریکی، پلاسما و مهندسی پلاسما

تعداد صفحات: ۹

نویسنده(ها):

آتنا دهقانی کیادهی – دانشجوی کارشناسی ارشد – دانشکده مهندسی شیمی و نفت – دانشگاه صنعتی شریف
محمد سلطانیه – استاد دانشکده مهندسی شیمی و نفت ، دانشگاه صنعتی شریف

چکیده:

در این تحقیق اثر زمان و توان پلاسما فرکانس پایین LF اکسیژن برای اصلاح ساختار سطحی غشاء پلی اترسولفون به منظور جداسازی گاز بررسی شد. تراوش پذیری گازهای خالص در اکسید کربن و متان قبل و پس از اصلاح توسط پلاسما اندازه گیری شدند. پس از اصلاح توسط پلاسما بیشترین مقدار تراوش پذیری در حدود GPU 0/073 برای گاز متان و GPU 0/81 برای گاز دی اکسید کربن بدست امد.همچنین بیشترین مقدار گزینش پذیری _فرمول در متن اصلی مقاله) در حدود ۱۱/۲۳ گزارش شد. طیف سنجی مادون قرمز از سطح غشاها پس از اصلاح ایجاد و افزایش گروههای عاملی قطبی اکسیژن دار در سطح غشاها را نشان می دهند. همچنین ساختار غشاها با استفاده از میکروسکوپ الکترونی مورد بررسی قرار گرفت . با استفاده از تست های انجام شده مشاهده شد که ساختار سطحی غشاء کاملا با حالت اصلاح نسده متفاوت شده است.