سال انتشار: ۱۳۹۱

محل انتشار: چهارمین کنفرانس مهندسی برق و الکترونیک ایران

تعداد صفحات: ۵

نویسنده(ها):

حاتم محمدی کامرا – عضو هیئت علمی گروه برق و الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد فسا
فروغ فلاحی – دانجوی کارشناسی ارشد مهندسی برق و الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد
رضا مصلی نژاد – دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی برق و الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی واح

چکیده:

کاهش اتلاف توان در مدارهای الکترونیکی بخصوص مدارات وارونگر اهمیت زیادی پیدا کرده است. این اهمیت زمانی بیشتر می شود که در کنار این موضوع مشخصه انتقالی ایده آل تری را نیز داشته باشیم. در این راستا، از تکنیکهای متفاوت اندازه ترانزیستور در مقیاس نانو استفاده می گردد تا ضمن اینکه توان کاهش یابد، ترانزیستورها حجم کمتری را در مدار اشغال کنند. فناوری اکسید- فلز- نیمه هادی های مکمل یا CMOS یک فناوری برجسته در صنعت جهانی مدارهای مجتمع (IC) است و به عنوان محصولاتی با اتلاف توان کم و چگالی زیاد و وسیله ی سوئیچ کنندگی نسبتاً ایده آل شناخته شده است. این ویژگی سبب شده که این مدارها دارای محاسن متمایزی نسبت به دیگر فناوری ها همچون nMOS و GaAs باشند. این مقاله سعی دارد با استفاده از نانو تکنولوژی و کاهش ولتاژ منبع تغذیه، کاهش توان و بهبود مشخصه انتقالی را نشان دهد.