سال انتشار: ۱۳۹۱

محل انتشار: چهارمین کنفرانس مهندسی برق و الکترونیک ایران

تعداد صفحات: ۶

نویسنده(ها):

سارا شمال نسب – دانشجوی کارشناسی ارشد دانشگاه آزاد بوشهر
محمد سروش – استادیار گروه برق دانشگاه شهید چمران اهواز

چکیده:

در این مقاله می خواهیم با توجه به سازوکارهای پیچیده جذب فوتون و حرکت حامل در آشکار ساز فلز- نیمهرسانا- فلز از جنس GaN، تحلیل رفتار این آشکار ساز را با استفاده از یک مدل مداری پی بینی کنیم. در روش شبیه سازی مداری آشکار ساز نوری، معادلات نرخ حامل ها در نواحی مختلف آشکار ساز را تعیین می کنیم، با تبدیل این معادلات ریاضی به روابط مداری متناظر آن، یک مدار معادل برای فلز- نیمه رسانا- فلز طراحی کرده، سپس جریان خروجی افزاره را با داده های عملی دیگران مقایسه می کنیم. با این کار میزان درستی کارکرد مدل ارائه شده تعیین می شود.