سال انتشار: ۱۳۹۱

محل انتشار: چهارمین کنفرانس مهندسی برق و الکترونیک ایران

تعداد صفحات: ۷

نویسنده(ها):

امین ظفریان – دنشجوی ارشد دانشگاه آزاد اسلامی واحد اراک
عباس گلمکانی – استادیار موسسه آموزش عالی سجاد مشهد
جلیل شیرازی – استادیار دانشگاه آزاد اسلامی واحد گناباد

چکیده:

در این مقاله یک تقویت کننده کم نویز با ولتاژ تغذیه ۰٫۴۷ و توان مصرفی بسیار پائین در فرکانس ۱٫۵GHz با استفاده از ساختار کسکود تاشده در تکنولوژی TSMC 0.18µm CMOS، ارائه می دهیم که در آن ترانزیستورها در ناحیه زیر آستانه بایاس شده اند. با استفاده از مدار پیشنهادی برای افزایش بهره در این ساختار و استفاده از تکنیک بایاس بدنه، توانسته ایم به ضریب شایستگی بسیار بالایی نسبت به ساختارهای مشابه دست یابیم. LNA ارائه شده در این مقاله دارای بهره بیش از ۱۴٫۵dB می باشد در حالی که توان مصرفی و عدد نویر در آن به ترتیب برابر با ۷۹۰µW و ۲٫۹dB است، همچنین مدار در فرکانس کاری دارای تطبیق امپدانس ورودی و خروجی مطلوبی است و در کل پهنای باند ایزولاسیون خروجی و ورودی آن کمتر از ۳۳dB – می باشد.