سال انتشار: ۱۳۹۱

محل انتشار: چهاردهمین کنگره ملی مهندسی شیمی ایران

تعداد صفحات: ۵

نویسنده(ها):

حامد کریمی – دانشجوی کارشناسی ارشد ، دانشگاه صنعتی اصفهان
نسرین اعتصامی – عضو هیت علمی ، دانشگاه صنعتی اصفهان
محسن نصراصفهانی – عضو هیت علمی ، دانشگاه صنعتی اصفهان

چکیده:

ویسکوزیته نانوسیال مغناطیسی اتیلن گلایکول-Fe3O 4تحت میدان مغناطیسی ثابت، موازی و در جهت جریان نانوسیال بهطور آزمایشگاهی مورد بررسی قرار گرفت. نتایج نشان داد با افزایش شدت میدان مغناطیسیویسکوزیته نانوسیال کاهش مییابد. همچنین آزمایشات نشان داد افزایش زمان قرارگیری نانوسیال در معرض میدان مغناطیسی تأثیر کاهش ویسکوزیته نانوسیال را بیشتر میکند.