سال انتشار: ۱۳۸۷

محل انتشار: دومین همایش مشترک انجمن مهندسین متالورژی و انجمن ریخته گری ایران

تعداد صفحات: ۸

نویسنده(ها):

کیوان اسدیان – استادیار، پژوهشگاه مواد و انرژی، کرج، مشکین دشت

چکیده:

سرامیکهای بر پایه Ba(Zn1/3Ta2/3)O3 یک گروه مهم از سرامیکهائی هستند که بعنوان رزناتورهای دی الکتریک در سیستمهای مورد استفاده در فرکانسهای مایکروویو مانند آنتن های تلفن های همراه بکار می روند. ترکیب Ba(Zn1/3Ta2/3)O3 بدون استفاده از کمک زینتر دانسیته ای حدوداً ۵۱ درصد دانسیته تئوری در دمای زینتر °C1530 از خود نشان می دهد. با افزودن Ga2O3 به میزان ۶/۰ درصد وزنی دانسیته نسبی به بالاتر از حدود ۹۷ درصد افزایش یافت. این افزایش بدلیل پیدایش فاز دومی است که اکسید گالیوم باعث بوجود آمدن آن میگردد. Ga همچنین علاوه بر حضور در فاز دوم، وارد شبکه Ba(Zn1/3Ta2/3)O3 نیز گردید. بررسی اثر Ga بر نظم شبکه ای توسط پراش اشعه X بدلیل ضعیف بودن پیکهای مربوط به سوپر ساختار میسّر نبود، به این دلیل از تکنیک SAD 1 در TEM 2 بدین منظور استفاده شد. این مطالعات نشان داد که حضور Ga در شبکه Ba(Zn1/3Ta2/3)O3 تغییری در نوع نظم (نظم ۱:۲) ایجاد نمی کند ولی با اینحال باعث تضعیف آن می گردد.