سال انتشار: ۱۳۹۱

محل انتشار: پانزدهمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق ایران

تعداد صفحات: ۶

نویسنده(ها):

جهانگیر باقری – استاددانشگاه جندیشاپور
محسن اسمعیل زاده – کارشناس )B.Sc

چکیده:

امروزه تقاضا برای سنجش بسیاردقیق موقعیت و تغییر مکانهای خطی افزایش یافته است ترانسدیوسرهای LVDT بطور گسترده به دلیل ساختارساده دقت زیاد محدوده ی وسیع اندازهگیری عمرطولانی خطی بودن قدرت تفکیک رزولوشن بالا حساسیت زیاد پایداری و قابلیت اطمینان بالا و ..درمراکز دانشگاهی محیطهای صنعتی و تحقیقاتی و مورد استفاده قرار میگیرند این مقاله ضمن تدقیق و تبیین مقوله های مذکور درفوق به آنالیز طراحی یک ترانسدیوسرLVDT جدید و تعیین ویژگیهای تاثیرات مداخله ای میدان مغناطیسی برروی عملکرد ترانسدیوسر ساخته شده می پردازد همچنین مدل المان محدود FEM برای شبیه سازی سنسورLVDT با استفاده ازنرم افزار شبیه سازی FLUX هم درشرایط استاندارد و هم درمورد تداخل خارجی دراین مقاله مورد تجزیه و تحلیل قرارمیگیرند. از بررسی ها ونتایج حاصله ازشبیه سازی های ذیربط برای توسعه و بهینه سازی نمونه ی ساخته شده LVDT و انجام مجموعه ی کاملی از اندازه گیری ها استفاده شده است